Implementation of GaN-based HEECS Inverter

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-057

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Implementation of GaN-based HEECS Inverter

著者名: SetiadiHadi（横浜国立大学）,NasuYoshiki（横浜国立大学）,MiguchiYasuhiko（横浜国立大学）,ObaraHidemine（横浜国立大学）,KawamuraAtsuo（横浜国立大学）

著者名(英語): Hadi Setiadi (Yokohama National University),Yoshiki Nasu (Yokohama National University),Yasuhiko Miguchi (Yokohama National University),Hidemine Obara (Yokohama National University),Atsuo Kawamura (Yokohama National University)

キーワード: |unfolding inverter|GaN|high efficiency|multilevel converter

要約(英語): A GaN-based HEECS inverter has been implemented.
The inverter was created by reflow soldering the GaN E-HEMT bare-dies on the PCB to reduce the switching loss.
And variable deadtimes control was used to reduce the loss from the output capacitors

本誌掲載ページ: 92-94 p

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 614 Kバイト