SiC-MOSFET素子による低電圧直流遮断プロセスにおけるPN接合部温度と端子間電圧－大電流型素子の適用－

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-054

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Application of High Current SiC-MOSFET to Low-Voltage Direct Current Interruption: Transient Behavior of PN Junction Temperature Rise and Terminal Voltage

著者名: 渡邉幹太（名古屋大学）,横水康伸（名古屋大学）,兒玉直人（名古屋大学）,藤田雄大（名古屋大学）

著者名(英語): Kanta Watanabe (Nagoya University),Yasunobu Yokomizu (Nagoya University),Naoto Kodama (Nagoya University),Yudai Fujita (Nagoya University)

キーワード: 遮断器|低圧直流大電流|SiC-MOSFET|限流|等価熱回路|数値シミュレーション|Circuit breaker|Low-voltage DC High Current|SiC-MOSFET|Current limiting|Equivalent thermal circuit|Numerical simulation

要約(日本語): 筆者らは，SiC系MOSFET半導体を適用した低圧直流モデル遮断器を試作し，その電流遮断特性を，PN接合部の過渡温度推移も含めて，示してきた。さらに，近年では，同モデル遮断器によるDC電源電圧380V下での電流遮断過程を数値シミュレーションによって得てきた。次段階として，半導体として，大電流定格のMOSFETを用い，遮断過程計算を進めている。本報告では，モデル遮断器による直流遮断とその過程におけるPN接合部の温度上昇と半導体端子間電圧の推移を述べる。

本誌掲載ページ: 66-67 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 528 Kバイト