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スパッタリング法によるアモルファスシリコン薄膜の膜特性のタグチメソッドによる最適化の検討

スパッタリング法によるアモルファスシリコン薄膜の膜特性のタグチメソッドによる最適化の検討

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-062

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Optimization of the Properties of Amorphous Silicon Thin Films by Magnetron Sputtering using Taguchi Method

著者名: 味田皓平(名古屋大学),田畑彰守(名古屋大学)

著者名(英語): Kohei Mita (Nagoya University),Akimori Tabata (Nagoya University)

キーワード: アモルファスシリコン|RFマグネトロンスパッタリング法|タグチメソッド|分散分析|amorphous silicon|RF magnetron sputtering|Taguchi method|analysis of variance

要約(日本語): 高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法を用いて,優れた特性を有するBドープ水素化アモルファスSi(a-Si:H)膜の作製を目指した。タグチメソッドと分散分析を用いて,各特性に最適な因子の値および各因子が特性に与える効果の度合いを調べたところ,水素分圧比は低いほど,RFパワーは高いほど電気伝導度が高くなることが分かった。これを元にガス圧を調整したところ,ガス圧が8Paのときに最も大きな電気伝導度の値7.7×10-3S/cmが得られた。電気伝導度が増加した原因として,構造

本誌掲載ページ: 69-70 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 361 Kバイト

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