対向ターゲット式スパッタで作製したCoFeB-SiO2薄膜を用いた長方形スパイラルインダクタ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-095

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル：対向ターゲット式スパッタで作製したCoFeB-SiO₂薄膜を用いた長方形スパイラルインダクタ

タイトル(英語): Preparation of rectangular spiral inductors with CoFeB-SiO2 films formed by facing targets sputtering

著者名: 仁田帆南（東京工業大学）,金子忠幸（東京工業大学）,河原和馬（東京工業大学）,石戸亮祐（ローム）,宮崎達也（ローム）,細田尚揮（豊田工業大学）,藤﨑敬介（豊田工業大学）,中川茂樹（東京工業大学）,高村陽太（東京工業大学）

著者名(英語): Honami Nitta (Tokyo Institute of Technology),Tadayuki Kaneko (Tokyo Institute of Technology),Kazuma Kawahara (Tokyo Institute of Technology),Ryosuke Ishido (ROHM semiconductor),Tatsuya Miyazaki (ROHM semiconductor),Naoki Hosoda (Toyota Technological Insti

キーワード: 薄膜インダクタ|CoFeB-SiO2薄膜|対向ターゲット式スパッタ法|面内一軸磁気異方性|thin-film inductor|CoFeB-SiO2 thin film|Facing targets sputtering technique|in-plane uniaxial magnetic anisotropy

要約(日本語): 高周波動作可能な小型インダクタに用いる透磁率が高い磁性膜として，面内に大きな磁気異方性有するCoFeB-SiO₂薄膜を対向ターゲット式スパッタ法（FTS）を用いて成膜し，さらにそれを磁芯とした長方形スパイラルインダクタを試作した。 磁性膜の困難軸方向とスパイラルコイルの長辺を直交させることで，スパイラルコイルのインダクタンスは空芯に比べ20％増大した。 この技術はインダクタの小型化に寄与し，延いてはパワーエレクトロニクス回路の高効率化，カーボンニュートラルに資する。

本誌掲載ページ: 110-111 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 499 Kバイト