汎用モノリシックIC構造によるペルチェ素子の実現

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-009

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Realization of Peltier Devices with General Monolithic IC Structure

著者名: 佐藤龍太郎（東洋大学）,蛭田智紀（東洋大学）,佐野勇司（東洋大学）

著者名(英語): Ryutaro Sato (Toyo University),Tomoki Hiruta (Toyo University),Yuji Sano (Toyo University)

キーワード: ペルチェ素子|ハイブリットIC|モノリシックIC|PN接合分離|長寿命化|Peltier device|Hybrid integrated circuit|Monolithic integrated circuit|PN junction isolation|Long life

要約(日本語): 汎用ペルチェ素子は半導体と溶接した金属を介して熱を移動させるハイブリットIC構造となっており，両者の熱膨張率の差に起因して短寿命となる課題があった。そこで著者らは長寿命化を目指し，ペルチェ素子を完全にモノリシック化する構造を考案し，汎用CMOSプロセスを用いてペルチェICを試作した。本発表においては，試作したモノリシックペルチェICの構造，および実験によって熱電効果が確認できたことを報告する。

本誌掲載ページ: 11-13 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 590 Kバイト