MOSFETのチャネル抵抗を用いたピエゾ抵抗型MEMS圧力センサの試作と評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-153

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of Piezoresistive MEMS Pressure Sensor Using MOSFET Channel Resistance

著者名: 前澤龍平（東京電機大学）,小松聡（東京電機大学）

著者名(英語): Ryuhei Maezawa (Tokyo Denki Univerity),Satoshi Komatsu (Tokyo Denki Univerity)

キーワード: |圧力センサ|ピエゾ抵抗|MEMS|CMOS-MEMS|pressure sensor|piezoresistive

要約(日本語): MOSFETに応力を加えるとチャネル抵抗が変化し，キャリア移動度が変化する。キャリア移動度が変化することによってドレイン電流が変化するため圧力を検出する素子としてMOSFETを用いることができる。本研究ではセンサ部分であるホイートストンブリッジ回路とセンサの出力を増幅させる増幅回路である計装アンプを組み合わせた圧力センサをオンセミコンダクター社0.8μmのCMOSプロセスを用いて試作を行った。シミュレーション結果での感度は，回路図レベルでは15.4mV/kPaであり，寄生抵抗と寄生容量を考慮した場合

本誌掲載ページ: 232-234 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 815 Kバイト