セレン薄膜を用いた光発電デバイスの窓層作製条件の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-177

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Investigation of Photovoltaic Performance of Se Thin Film Device with Different Deposition Condition for n-type Window Layer

著者名: 緒方亮太（立命館大学）,髙橋輝樹（立命館大学）,足立悠輔（立命館大学）,小林大造（立命館大学）

著者名(英語): Ryota Ogata (Department of Mechanical Engineering, College of Science and Engineering, Ritsumeikan University),Teruki Takahashi (Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University),Yusuke Adachi (Graduate School of Science and Engineering,

キーワード: TiO2窓層|Se光吸収層|基板温度|ヘテロ接合|光電変換デバイス|TiO2 window layer|Se photo absorber|substrate temperature|heterojunction|photovoltaic device

要約(日本語): 結晶セレン（Se）は可視光領域で高い光吸収係数を有するp形光吸収層として有望な材料である。これまでにTiO2やZnMgOなどのワイドギャップn形窓層とのヘテロ接合による可視光領域での光電変換デバイスが報告されている。関連の先行報告ではこれらのn形窓層は200?C以上の基板温度において成膜されている。本稿では低耐熱なポリマー基板上へのデバイス応用を視野に入れて，基板温度を含めたTiO2窓層の作製条件とデバイス光電変換性能の関係を調べた。基板温度を350℃から150℃と変化して作製したTiO2窓層を用いて結晶

本誌掲載ページ: 259-260 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 529 Kバイト