フリップチップボンディングを用いパワーMOSFETとCMOSゲートドライバを直接接合したSiC 3DパワーICの一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): A study on a SiC 3D power IC directly integrating a power MOSFET with its CMOS gate driver using flip chip bonding

著者名: 八尾惇（産業技術総合研究所）,岡本光央（産業技術総合研究所）,佐藤伸二（産業技術総合研究所）,山口大輝（産業技術総合研究所）,佐藤弘（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Atsushi Yao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Mitsuo Okamoto (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Shinji Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (A

キーワード: SiC-CMOS|ゲートドライバ|SiC MOSFET|高速スイッチング|フリップチップボンディング|SiC-CMOS|gate driver|SiC MOSFET|high-speed switching|Flip chip bonding

要約(日本語): 本研究では，SiCパワーMOSFETの高速スイッチングを実現するために，フリップチップボンディングを使用し，SiCパワーMOSFETとそのSiC CMOSゲートドライバーの3次元（3D）直接接合によるワイヤボンディングレスデバイス（以降，SiC 3DパワーIC）の実現とそのスイッチング特性を検討する。開発したSiC 3DパワーICの場合には，スイッチング時間が約4.8ns（スイッチング速度100V/ns）となり，従来のワイヤーボンディングを用い接続した場合と比較し，スイッチング時間が10%以上短縮された。

本誌掲載ページ: 1-2 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 821 Kバイト