スイッチング波形に基づくドレイン-ソース間容量特性の測定手法に関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): A Study on a Method for Measuring Drain-Source Capacitance Characteristic Based on Switching Waveform

著者名: 熊田翔（京都工芸繊維大学）,西谷洋太（奈良先端科学技術大学院大学）

著者名(英語): Sho Kumada (Kyoto Institute of Technology),Youta Nishitani (Nara Institute of Science and Technology)

キーワード: SiC MOSFET|シミュレーションモデル|寄生容量|ダブルパルス試験|SiC MOSFET|Simulation Model|Parasitic capacitance|Double pulse test

要約(日本語): 電力変換回路の効率的な設計には，高精度なモデルを用いた回路シミュレーションによる性能予測が有効である。ところが，デバイスメーカより提供される回路シミュレーションモデルは特性ばらつき等により必ずしも精度良く予測できない。他方，シミュレーションモデルの開発には素子の特性を測定する必要があり，これには高価な半導体パラメータアナライザを用いるため，回路設計者自身がモデルを開発することは現実的ではない。この課題に対し，本稿ではスイッチング波形からドレイン端子・ソース端子間の寄生容量Cdsを測定する手法を提案する。市

本誌掲載ページ: 2-3 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 411 Kバイト