デバイス内部のゲート・ソース間電圧の推定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Estimating the Gate-source Voltage Inside the Device

著者名: 長尾崇弘（愛三工業）,内木英喜（愛三工業）,東出稜平（舞鶴工業高等専門学校）,七森公碩（舞鶴工業高等専門学校）

著者名(英語): Takahiro Nagao (Aisan Industry),Hideki Uchiki (Aisan Industry),Ryohei Higashide (Maizuru College),Kimihiro Nanamori (Maizuru College)

キーワード: パワーデバイス|GaN HEMT|ゲート電圧振動|耐圧|モデリング|ソースインダクタンス|Power Device|GaN HEMT|Gate Voltage Oscillation|Maximum Rating|Modeling|Source Inductance

要約(日本語): 近年，GaNやSiCなどの次世代半導体が注目されており，特にGaNは高周波駆動による電力変換器の小型化が期待されている。 しかし，GaNの駆動には4.5V以上のゲート電圧が必要となる一方，耐圧は6V程度であり，スイッチング時の電圧振動によって耐圧を超えてしまい破壊する懸念がある。 本研究では，デバイスのON時においてパッケージや配線の寄生成分を含めたモデリングを行い，デバイス内部のゲート電圧振動を推定する手法を提案する。また，実機測定と比較を行いモデルの妥当性を確認した。 実測したゲート電圧はソースインダ

本誌掲載ページ: 3-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 938 Kバイト