SBD内蔵SiCトレンチMOSFETにおけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): The Effects of Schottky Barrier Height on Forward Surge Current Capabilities in SiC SBD-integrated Trench MOSFETs

著者名: 北村雄大（筑波大学）,俵武志（産業技術総合研究所）,原田信介（産業技術総合研究所）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Yudai Kitamura (University of Tsukuba),Takeshi Tawara (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Yano (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamu

キーワード: SBD内蔵SiCトレンチMOSFET|ショットキー障壁高さ|順方向サージ電流耐量|SiC SBD-integrated Trench MOSFETs|Schottky Barrier Height|Forward Surge Current Capabilities

要約(日本語): 本研究では，SBD内蔵SiCトレンチMOSFETの内蔵ショットキーバリアダイオードにおけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響をTCADシミュレーションを用いて解析した。ショットキー障壁高さを1.20eV，1.51eV，1.80eVと設定し，定格25A，1200Vを想定した。シミュレーションの結果，ショットキー障壁高さが高いほど順方向サージ電流導通時のJBS構造における正孔注入が顕著になり，バイポーラ動作しやすくなることで，電力損失の低減及びデバイス内部の温度上昇抑制に寄与していることが

本誌掲載ページ: 10-12 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 627 Kバイト