p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル：p-NiO/n-Ga₂O₃ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション

タイトル(英語): Simulation of field limiting ring termination for p-NiO/n-Ga₂O₃ heterojunction diodes

著者名: 池上啓太（山梨大学）,唐澤直輝（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）,中込真二（石巻専修大学）

著者名(英語): Keita Ikegami (University of Yamanashi),Naoki Karasawa (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi),Shinji Nakagomi (Ishinomaki Senshu University)

キーワード: 酸化ガリウム|ダイオード|ワイドバンドギャップ|終端構造|Ga2O3|Diode|Wide Bandgap|Termination structure

要約(日本語): ワイドバンドギャップであるGa₂O₃にp型のNiOを用いたp-NiO/n-Ga₂O₃ヘテロ接合ダイオードが注目されている。同ダイオードにおいてFLR構造を適用し耐圧シミュレーションを行った。FLRのリングを増やすことで降伏電圧が上昇するが，NiO，Ga₂O₃ともにワイドバンドギャップ半導体であり，Ga₂O₃が高ドープであるため，接合

本誌掲載ページ: 14-15 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 479 Kバイト