SiC-MOSFETのp型コンタクト抵抗がスイッチング特性に及ぼす影響評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Effect of p-type Contact Resistance of SiC MOSFET on Switching Characteristics

著者名: 永瀬唯（金沢工業大学）,中田修平（金沢工業大学）,富永貴亮（三菱電機先端技術総合研究所）

著者名(英語): Yui Nagase (Kanazawa Institute of Technology),Shuhei Nakata (Kanazawa Institute of Technology),Takaaki Tominaga (Mitsubishi Electric Corporation Advanced Technology R&D Center)

キーワード: SiC-MOSFET|p型コンタクト抵抗|SiC-MOSFET|p-type Contact Resistance

要約(日本語): SiC-MOSFETは，優れた特性を有し，パワエレ機器の省エネに有効である。しかし，SiC-MOSFETは出力容量が大きく，スイッチング時に大きな変位電流が流れる。また，ソース電極とpボディ間のコンタクト抵抗（Rpk）が大きいことにより，スイッチング時にpボディ領域の電位変動が発生する。本稿では，この特性がスイッチング特性に及ぼす影響を評価し，回路モデルを作成し検証した。スイッチング時のRpkの影響を評価するため，高Rpkと，低RpkのMOSFETを試作し，評価した。また，Rpkを考慮したMOSFET回路

本誌掲載ページ: 15-16 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 432 Kバイト