Si-スーパージャンクションBJT/Si-MOSFETダーリントンスイッチ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-011

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Si-SJBJT/Si-MOSFET Darlington switch

著者名: 涌井翔真（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）,橋本誠（日清紡マイクロデバイス）,小川勉（日清紡マイクロデバイス）

著者名(英語): Shoma Wakui (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi),Makoto Hashimoto (Nisshinbo Micro Devices Inc.),Tsutomu Ogawa (Nisshinbo Micro Devices Inc.)

キーワード: パワーデバイス|スーパージャンクション|ダーリントン接続|シリコンデバイス|MOSデバイス|Power devices|Superjunction|Darlington connection|Silicon devices|MOS devices

要約(日本語): スーパージャンクション（SJ）ドリフト領域を有するSiバイポーラ接合型トランジスタ（Si-SJBJT）は，定格650Vにおいて5mΩcm²以下の低オン抵抗を有する。また，従来のSi-BJTと比較して電流利得が約10倍高く，ターンオフ時のテール電流も小さい。しかし，SJBJTは電流駆動デバイスであり，ターンオフ遅延時間が1µsを超える。本研究ではSi-SJBJT/Si-MOSFETのダーリントンスイッチ（SJBMD）を提案し，SJBJTの電圧駆動を実現した。また

本誌掲載ページ: 16-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 858 Kバイト