直列接続SiCダイオードを被クランプ素子とした半導体直流遮断器のアバランシェ耐量設計

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Avalanche Capability Design for Solid-State DC Circuit Breaker with Series-Connected SiC Diodes

著者名: 髙森太郎（東京都立大学）,和田圭二（東京都立大学）,齋藤渉（九州大学）,西澤伸一（九州大学）

著者名(英語): Taro Takamori (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University),Wataru Saito (Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa (Kyushu University)

キーワード: 半導体遮断器|SiC|アバランシェ降伏|直流遮断器|被クランプ素子|Solid-State Circuit Breaker|SiC|Avalanche Breakdown|DC breaker|Clamped Elements

要約(日本語): 機械式遮断器に代わって，高速遮断が可能となる半導体直流遮断器が注目されている。本稿では，半導体直流遮断器の被クランプ素子に使用するための，SiCダイオードを直列接続したアバランシェ耐量の設計について検討を行った。提案する遮断器は，2デバイスのSiCダイオードを直列接続してクランプ電圧を高く設計し，電流遮断時に発生するエネルギー消費を分担することでアバランシェ耐量が向上した。直流400V/40A UIS試験回路における実験に基づき，同一の電流遮断条件において遮断器で消費されるアバランシェエネルギーを31.1

本誌掲載ページ: 18-20 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 659 Kバイト