SiC-MOSFETを6並列接続した半導体直流遮断器の定常特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Steady-state characteristics of a semiconductor DC circuit breaker with six SiC-MOSFETs connected in parallel

著者名: 金田康平（東京都立大学）,高森太郎（東京都立大学）,和田圭二（東京都立大学）

著者名(英語): kohei Kaneda (Tokyo Metropolitan University),Taro Takamori (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 半導体直流遮断器|配線抵抗|semiconductor DC circuit breaker|wiring resistance

要約(日本語): 太陽光発電システムや電気自動車には直流回路が使用されており，システムの安全性の隔離のためには直流遮断器が必要不可欠である。半導体直流遮断器は電気的に電流を遮断するため，接点摩耗がないという利点がある。一方，半導体直流遮断器には導通損失が大きいという欠点がある。近年では，オン抵抗の小さいSiCパワーデバイスの普及により，導通損失が小さい半導体直流遮断器の開発を目指して研究が行われている。本研究ではSiCパワーデバイスのMOSFETを6個並列接続し，導通損失を減少させた半導体直流遮断器を製作し，パワーデバイス

本誌掲載ページ: 20-21 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,034 Kバイト