アクティブゲート駆動によるSiCMOSFETの放射EMIとスイッチング損失の低減

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Reduction of Radiated EMI and Switching Loss of SiC MOSFETs Using Active Gate Driving

著者名: 青木ノエル（東京大学／東京工芸大学）,堀井康平（東京大学）,森川隆造（東京大学）,畑勝裕（東京大学）,諸熊健一（三菱電機）,和田幸彦（三菱電機）,大開美子（三菱電機）,椋木康滋（三菱電機）,高宮真（東京大学）

著者名(英語): Noel Aoki (The University of Tokyo/Tokyo Polytechnic University),Kohei Horii (The University of Tokyo),Ryuzo Morikawa (The University of Tokyo),Katsuhiro Hata (The University of Tokyo),Kenichi Morokuma (Mitsubishi Electric Corporation),Yukihiko Wada (Mits

キーワード: 放射EMI|スイッチングロス|ゲートドライバ|アクティブゲート駆動|SiC MOSFET|radiated EMI|switching loss|gate driver|active gate driving|SiC MOSFET

要約(日本語): 電力変換器におけるEMIとスイッチング損失（E_LOSS）のトレードオフ関係を打破できる技術として，パワーデバイスのスイッチング時のゲート電流（I_G）波形を制御するアクティブゲート駆動が注目されている。I_Gを時間領域でデジタル制御するTime-domainデジタルゲートドライバ（TD DGD）ICを用いて，E_LOSSと放射EMIの両方を削減した報告がある。しかし，この報告では近傍磁界プローブを用いて測定した電圧波形をフー

本誌掲載ページ: 21-22 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 522 Kバイト