負バイアス切り替え機能を備えたゲート駆動回路の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-015

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Development of Gate-drive-circuit Equipped with the Function of Switching Negative Bias Level

著者名: 山本章太郎（三菱電機）,和田幸彦（三菱電機）,河原知洋（三菱電機）,椋木康滋（三菱電機）

著者名(英語): Shotaro Yamamoto (Mitsubishi Electric Corp.),Yukihiko Wada (Mitsubishi Electric Corp.),Chihiro Kawahara (Mitsubishi Electric Corp.),Yasushige Mukunoki (Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: ゲート駆動回路|負バイアス|SiC|誤ターンオン|スイッチング|Gate-drive-circuit|Negative Bias|SiC|False Turn-on|Switching

要約(日本語): パワー半導体SiCデバイスに印可する負バイアス切り替え機能を備えた駆動回路を開発した。電気自動車（EV）や太陽光発電などで用いる2レベルインバータには，高電位と低電位のFETが直列状態で用いられる。一方のFETがOFF状態で，他方のFETをONすると，OFF状態のFETのゲート・ソース間電圧が上昇し，誤点弧する懸念がある。これらのFETにはSiCデバイスが積極的に採用され始めている事から，ゲートの誤点弧対策は，これまで以上に重要といえる。 開発した駆動回路を用いた1.2kV耐圧SiC-MOSFETのスイッ

本誌掲載ページ: 22-24 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 583 Kバイト