ゲート駆動過電圧時におけるSiC MOSFETのスイッチング特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-016

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Evaluation of Switching Characteristics of SiC MOSFETs under Gate Drive Overvoltage.

著者名: 寒河江貴英（東京都立大学）,和田圭二（東京都立大学）,林真一郎（千葉工業大学）

著者名(英語): Takahide Sagae (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University),Shin-Ichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology)

キーワード: SiC MOSFET|スイッチング損失|チャネル抵抗|SiC MOSFET|Switching loss|Channel resistance

要約(日本語): 電力変換回路の多様な応用への展開が議論されており，さらなる小型・軽量化，高効率化が求められている。そこで，SiC MOSFETの利用拡大が期待されている。SiC MOSFETは，オン抵抗低減のためにドリフト層が薄く設計されているが，チャネル抵抗はSi MOSFETよりも大きいことが課題である。本研究では，SiC MOSFETの高効率駆動を目的として，ゲート駆動電圧に定格値以上の電圧を印加する方法を提案する。本稿では，1,200V耐圧のデバイスを対象として，定格ゲート駆動電圧の2倍を印加した場合のダブルパル

本誌掲載ページ: 24-26 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 322 Kバイト