パワー回路の寄生共振周期に着目したパワーループインダクタンス低減に頼らないターンオフサージの抑制指針

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-021

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Turn-off Surge Suppression Strategy Based on Parasitic Resonance Period in Replace of Power Loop Inductance Reduction

著者名: 阿部洸希（岡山大学）,石原將貴（岡山大学）,梅谷和弘（岡山大学）,平木英治（岡山大学）

著者名(英語): Koki Abe (Okayama University),Masataka Ishihara (Okayama University),Kazuhiro Umetani (Okayama University),Eiji Hiraki (Okayama University)

キーワード: GaN-FET|ターンオフサージ|パワーループインダクタンス|寄生共振|電力変換回路|高速スイッチング|GaN-FET|Turn-off Surge|Power Loop Inductance|Prasitic Resonance|Power Conversion Circuit|Fast-switching

要約(日本語): GaN-FETの高速ターンオフは，パワーループの寄生インダクタンスに大きな電圧を誘導し，ターンオフサージによるスイッチングデバイス破損が懸念される。本研究では，パワーループの寄生共振電流より高速にチャネル電流遮断を行えるスイッチングデバイスでのターンオフサージの理論式を導出した。理論式より，パワーループの寄生共振周期とスイッチング遷移時間の関係でターンオフサージのピーク値が決定されることと，その値をほぼ0に抑制するパワーループの寄生インダクタンスの新しい設計指針を示し，実験でその妥当性を確認した。

本誌掲載ページ: 32-34 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 483 Kバイト