アクティブゲート制御によるMOSFETの出力容量と浮遊インダクタンスの共振抑制効果の解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-022

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Analysis of a Suppression Effect of an Active Gate Control on a Resonance Between Output Capacitances and a Stray Inductance

著者名: 山口大輝（産業技術総合研究所）,佐藤伸二（産業技術総合研究所）,八尾惇（産業技術総合研究所）,佐藤弘（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Daiki Yamaguchi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinji Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Atsushi Yao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Sato (

キーワード: アクティブゲート制御|高速スイッチング|SiC MOSFET|Active gate control|Fast-switching operation|SiC MOSFET

要約(日本語): 高速スイッチングとサージ電圧の低減を両立する技術として，アクティブゲート制御が注目されている。一般的なアクティブゲート制御法では，粒子群最適化アルゴリズムや遺伝的アルゴリズムなどを用いて制御パラメータを設定する必要があるが，制御パラメータとアクティブ制御の応答がブラックボックス的な関係となるので，効率的な最適化が困難である。そこで，本論文では浮遊インダクタンスと出力容量の共振に着目し，サージ電圧を原理的に低減可能なアクティブゲート制御法を提案し，その妥当性をシミュレーションと実験により確認する。

本誌掲載ページ: 34-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 469 Kバイト