誤点弧防止とデッドタイム損失低減を両立するGaN HEMT向け3レベルゲートドライバ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-023

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): A Three-level Gate Driver for GaN HEMT to Suppress False Turn-on and Reduce Dead Time Loss

著者名: 武久拓未（京都工芸繊維大学）,高橋岳大（京都工芸繊維大学）,古田潤（京都工芸繊維大学）,新谷道広（京都工芸繊維大学）,小林和淑（京都工芸繊維大学）

著者名(英語): Takumi Takehisa (Kyoto Institute of Technology),Takehiro Takahashi (Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta (Kyoto Institute of Technology),Michihiro Shintani (Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi (Kyoto Institute of Technology)

キーワード: GaN HEMT|ゲートドライバ|誤点弧|デッドタイム損失|GaN HEMT|gate driver|false turn-on|dead time loss

要約(日本語): 本稿では，誤点弧防止とデッドタイム損失の低減を両立するGaN HEMT向けの3レベルゲートドライバを提案し，動作を検証した。GaN HEMTは誤点弧が生じやすく，還流動作時のデッドタイム損失が大きいため，Siパワーデバイスにはない課題がある。従来手法では，オフ時に負電圧で駆動することで誤点弧を防止するが，追加の電源が必要となり回路面積が大きくなるほか，デッドタイム損失が増大するという問題がある。提案型ゲートドライバはデッドタイムは0Vで駆動することでデッドタイム損失を低減する。提案型ゲートドライバを抵抗負

本誌掲載ページ: 36-37 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 960 Kバイト