フライングキャパシタマルチレベル変換器の高周波化によるキャパシタ電圧平衡点への影響に関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-024

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Investigation on Capacitor Valancing Voltage in High Frequency Flying Capacitor Multi-Level Converter

著者名: 澤井伸次（千葉大学）,名取賢二（千葉大学）,佐藤之彦（千葉大学）

著者名(英語): Shinji Sawai (Graduate School of Science and Engineering, Chiba University),Kenji Natori (Graduate School of Engineering, Chiba University),Yukihiko Sato (Graduate School of Engineering, Chiba University)

キーワード: マルチレベル変換器|フライングキャパシタ|高周波化|自己バランス|GaNHEMT|multi-level converter|flying capacitor|high frequency|self balancing|GaNHEMT

要約(日本語): 近年，次世代半導体であるGaNパワートランジスタの普及が進んでいる。GaNは変換器の高周波化に有利な性質を有している一方で，ゲート耐圧が低いという欠点を持つため高い電圧でのハードスイッチングが困難である。当グループではマルチレベル変換器を導入することで，GaNトランジスタの課題解決を試みている。マルチレベル変換器はデバイスにかかる電圧ストレスを低減することができるという特長を持っているためGaNと相性が良い。本研究で対象とするフライングキャパシタ型のマルチレベル変換器は回路内に一定の電圧を保持したキャパシ

本誌掲載ページ: 37-39 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 798 Kバイト