高電圧発生装置における主変圧器の二次側寄生容量のモデル化手法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-117

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Analysis Method of Secondary Parasitic Capacitance of Main Transformer for High Voltage Generator

著者名: 安東正登（日立製作所）,河口祐樹（日立製作所）,庄司浩幸（日立製作所）,小川美奈（富士フイルムヘルスケア）,初見智（富士フイルムヘルスケア）,進藤将太郎（富士フイルムヘルスケア）,堂本拓也（富士フイルムヘルスケア）

著者名(英語): Masato Ando (Hitachi, Ltd),Yuki Kawaguchi (Hitachi, Ltd),Hiroyuki Shoji (Hitachi, Ltd),Mina Ogawa (FUJIFILM Healthcare Corporation),Satoru Hatsumi (FUJIFILM Healthcare Corporation),Shotaro Shindo (FUJIFILM Healthcare Corporation),Takuya Domoto (FUJIFILM H

キーワード: 高電圧発生装置|主変圧器|寄生容量|High voltage generator|Main transformer|Parasitic capacitance

要約(日本語): X線CT装置や粒子加速器等に使用される電源は直流出力の高電圧発生装置が適用されている。これらの電源で使用される主変圧器は高電圧を得るため巻数比が高く，主変圧器の二次側寄生容量が回路動作へ与える影響が顕著になる。そこで，主変圧器の二次側巻線を対象とした理論計算や，Cockcroft-Walton回路におけるダイオードの接合容量のモデル化，さらに機器と筐体間の寄生容量のモデル化は述べられているが，高電圧発生装置の実装構造に起因する寄生容量のモデル化手法や定量的な評価結果は言及されていない。本稿では，理論計算と

本誌掲載ページ: 207-209 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 563 Kバイト