SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断 －減衰振動性電流の生成による限流とその基礎検討－

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-057

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Low-voltage direct current interruption with SiC-MOSFET: current limitation by damped oscillating current generation and its fundamental investigation

著者名: 長谷川海渡（名古屋大学）,横水康伸（名古屋大学）,兒玉直人（名古屋大学）,渡邉幹太（名古屋大学）

著者名(英語): Kaito Hasegawa (Nagoya University),Yasunobu Yokomizu (Nagoya University),Naoto Kodama (Nagoya University),Kanta Watanabe (Nagoya University)

キーワード: 遮断器|SiC-MOSFET|低電圧大電流|限流|Circuit Breaker|SiC-MOSFET|Low-voltage DC High Current|Current limiting

要約(日本語): SiC系MOSFET半導体のスイッチング機能を用いた低電圧DC遮断方法として，電気抵抗による限流機能を具備したモデル遮断器の回路構成・仕様を検討してきた。さらに，同モデル遮断器によるDC電源電圧120～380V下での電流遮断および過渡的発生電圧のプロセスを提示し，さらに接合部温度上昇も明らかにしてきた。次段階として，筆者らは，同半導体を用いた低電圧DC遮断として，DCを減衰振動電流に変化させ，ひいては電流を遮断する方式を検討している。この方式を用いたモデル遮断器の回路構成を提案し，電流遮断できる見通しを得

本誌掲載ページ: 73-74 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 402 Kバイト