商品情報にスキップ
1 1

エピタキシャル・リフトオフ法によるⅢ-Ⅴ族化合物多接合太陽電池の薄膜化の検討

エピタキシャル・リフトオフ法によるⅢ-Ⅴ族化合物多接合太陽電池の薄膜化の検討

通常価格 ¥440 JPY
通常価格 セール価格 ¥440 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-012

グループ名: 【全国大会】令和5年電気学会全国大会論文集

発行日: 2023/03/01

タイトル(英語): Thin III-V compound multi-junction solar cells by epitaxial lift-off technique

著者名: 岩澤英宜(東京大学),岡田至崇(東京大学)

著者名(英語): Eiki Iwasawa (School of Engineering, University of Tokyo),Yoshitaka Okada (School of Engineering, University of Tokyo)

キーワード: 太陽電池|solar cell

要約(日本語): Ⅲ-Ⅴ族化合物多接合太陽電池は高い変換効率が得られるが,製造コストが高価であり宇宙用途の他に幅広い利用まで至っていない。そこで,基板を再利用することで低コスト化を図り,またセルの薄膜化・軽量化を可能とするエピタキシャル・リフトオフ(ELO)による,Ⅲ-Ⅴ族化合物多接合太陽電池の薄膜化プロセスについて検討した。太陽電池薄膜層の剥離に要する時間の短縮化の観点から,HFエッチング液の温度・濃度・溶媒を変化させてELOの実験を行った。その結果,格子整合2接合のInGaP/GaAs太陽電池構造(LM2J)において,

本誌掲載ページ: 18-19 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 503 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する