150kHz帯域バーストパルスによる1インチエッチングプロセス用高密度プラズマの生成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-077

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Production of High-Density Plasma by 150 kHz Band Burst Pulse for One-Inch Etching Process

著者名: 高木浩一（岩手大学）,高橋直弘（岩手大学）,高橋克幸（岩手大学）,向川政治（岩手大学）

著者名(英語): Koichi TAKAKI (Iwate University),Naohiro TAKAHASHI (Iwate University),Katsuyuki TAKAHASHI (Iwate University),Seiji MUKAIGAWA (Iwate University)

キーワード: 誘導結合プラズマ|パルスパワー|ミニマルファブ|バーストモード|エッチング|高密度プラズマ|ICP|Pulsed power|Minimal fab|Burst mode|Etching|High-density plasma

要約(日本語): 高密度プラズマの生成を目的に誘導結合プラズマを150kHz帯の高電圧バーストパルスによって生成した。コイル電流の周波数を制御するために3相Hブリッジ回路を用いた。Arプラズマの実験結果とモデル解析から，プラズマ発生時のコイル電圧は2.0kV，電流は30A，磁気結合係数は0.6から0.7となった。電子温度とプラズマ密度はそれぞれ2-3eVと10^19m-3であった。シリコン基板のエッチングではArとCF4の混合ガスを，供給比を変化させてエッチング速度を求めた。Arでのエッチング速度は0.01μm min-1であるが，CF4を添加することで0.23μm min-1に増加した。

本誌掲載ページ: 94-95 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 429 Kバイト