p型窒化ガリウム上金属電極へのピコ秒レーザー照射の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-079

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): The influence of pico-second laser irradiation upon a metal electrode on p-type gallium nitride

著者名: 福田海人（徳島大学）,須藤直也（徳島大学）,川上拓哉（徳島大学）,永松謙太郎（徳島大学）,高林圭佑（東京大学）,小林洋平（東京大学）,山口誠（秋田大学）,高島祐介（徳島大学）,直井美貴（徳島大学）,富田卓朗（徳島大学）

著者名(英語): Kaito Fukuda (Tokushima University),Naoya Suto (Tokushima University),Takuya Kawakami (Tokushima University),Kentaro Nagamatsu (Tokushima University),Keisuke Takabayashi (Tokyo University),Yohei Kobayashi (Tokyo University),Makoto Yamaguchi (Akita Univers

キーワード: ピコ秒レーザー|p型窒化ガリウム|オーミック電極|pico-second laser|p-type gallium nitride|ohmic electrode

要約(日本語): ピコ秒レーザー照射を用いたp型窒化ガリウム（p-GaN）への低接触抵抗な電極作製技術について研究した。サファイア基板上にエピタキシャル成長させたp-GaN試料に金属電極（Ni/Au=50nm/50nm）を蒸着し，基板側から電極界面に向かってピコ秒レーザーを照射した。作製した電極は2探針法による電流電圧測定にて電気的特性を調査した。また，走査型電子顕微鏡（SEM）を用いた試料表面観察及びエネルギー分散型X線分光法（EDS）による元素分析，ラマン分光法を用いて元素組成を調査することでレーザー照射部の状態を明らかにし，ピコ秒レーザー照射がNi/Auとp-GaNの界面に与える影響について議論した。さらに，講演では透過型電子顕微鏡（TEM）を用いた断面観察についても述べる予定である。

本誌掲載ページ: 85-86 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 311 Kバイト