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Fe-B薄膜における磁化ダイナミクスのB組成依存性

Fe-B薄膜における磁化ダイナミクスのB組成依存性

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-091

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Dependence of Magnetization Dynamics on the B Compositions for Fe-B Thin Films

著者名: 斉藤圭祐(東北大学),遠藤恭(東北大学),室賀翔(東北大学)

著者名(英語): Keisuke Saito (Tohoku Univercity),Yasushi Endo (Tohoku Univercity),sho Muroga (Tohoku Univercity)

キーワード: スピントロニクス|Fe-B|Co-Fe-B|MRAM|磁気ダイナミクス|Spintronics|Fe-B|Co-Fe-B|MRAM|Magnetization Dynamics

要約(日本語): 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)は不揮発性や高い書き換え耐性といった特長を有することから,研究開発が盛んに行われている。MRAMの更なる進展のためには,高密度化および消費電力低減(省エネ)が必須となっている。そのためには,TMR素子を構成する磁性材料の検討および,その磁化ダイナミクスの理解が必要不可欠である。本研究では,TMR素子の磁性材料としてFe-Bを選択し,B組成の異なるFe-B薄膜における構造と磁気特性について検討した。得られた知見をもとにし,それらの磁化ダイナミクスのB組成による変化について議論した。

本誌掲載ページ: 100-101 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 321 Kバイト

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