100MHz以上での磁気応用を目指した面内一軸異方性ナノグラニュラー膜から成る直交膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-093

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): In-pane Isotropic Crossed Anisotropy Multilayer consisting of Uniaxial Nanogranular Films for Magnetics beyond 100 MHz

著者名: 直江正幸（電磁材料研究所）,曽根原誠（信州大学）,宮地幸祐（信州大学）,佐藤敏郎（信州大学）,室賀翔（東北大学）,遠藤恭（東北大学）,小林伸聖（電磁材料研究所）,荒井賢一（電磁材料研究所）

著者名(英語): Masayuki Naoe (Research Insititute for Electromagnetic Materials),Makoto Sonehara (Shinshu University),Kousuke Miyaji (Shinshu University),Toshiro Sato (Shinshu University),Sho Muroga (Tohoku University),Yasushi Endo (Tohoku University),Nobukiyo Kobayashi

キーワード: ナノグラニュラー膜|直交膜|面内等方性|一軸異方性|透磁率|高周波|Nanogranular films|Crossed anisotropy multilayer|In-plane magnetic isotropy|Uniaxial magnetic anisotropy|Magnetic permeabiliy|High frequency

要約(日本語): 膜面内一軸異方性の磁性膜を用いた直交膜では，面内等方に高周波特性が得られるようになる。これまでに，合計数十nmの薄い高比抵抗の一軸異方性ナノグラニュラー膜を用いた直交膜については，高透磁率で良好な面内等方性が得られたことを報告した。しかし，合計1 µm程度の実用的な厚みを目指すと，膜の体積増加，即ち膜中の磁性ナノ粒子（グラニュール）の数が増すため，これらの磁歪や結晶磁気異方性の影響が強くなって面内等方性が崩れることが課題であった。今回，低磁歪および結晶磁気異方性が高過ぎない磁性合金を用いると課題解決に至ったので，報告する。

本誌掲載ページ: 102-103 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 430 Kバイト