パワー半導体デバイス用過渡熱抵抗測定システムの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): A Development of a Measurement System for Transient Thermal Resistances of Semiconductor Power Devices

著者名: 小原秀嶺（横浜国立大学）,中本英治（アンソフト・スピリット）,梶田欣（名古屋市工業研究所）,松宮雷太（コスモ）,高野和吉（コスモ）

著者名(英語): Hidemine Obara (Yokohama National University),Eiji Nakamoto (Ansoft Spirit Co., LTD),Yasushi Kajita (Nagoya Municipal Industrial Research Institute),Matsumiya Raita (COSMO CO., LTD.),Kazuyoshi Takano (COSMO CO., LTD.)

キーワード: 過渡熱抵抗|パワー半導体デバイス|Transient thermal resistance|Semiconductor power device

要約(日本語): 電力変換器の設計においては，パワー半導体デバイスの損失と熱抵抗をもとに温度上昇を計算し放熱器設計を行うが，一般に，デバイスのデータシートには総合熱抵抗のみが記載されており，内層がどのような構成，特性になっているかがブラックボックスである。瞬時電力の変動が大きなアプリケーションにおいては，このような総合熱抵抗をもとに設計すると，マージンが過大になってしまう場合があるため，パワーデバイスの過渡熱抵抗を用いて熱設計することが望ましい。本研究では，パワーデバイス内部の過渡熱抵抗をより安価に測定可能なハードウェアおよび測定システムの特性を考慮した新しいデータ処理を取り入れたソフトウェアを開発し，その妥当性を確認したので報告する。

本誌掲載ページ: 1-3 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 492 Kバイト