Faraday効果型光プローブ電流センサを用いたGaNデバイスのターン・オン損失の算出

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Estimation of Turn-on Losses in GaN Devices Using Faraday Effect Optical Probe Current Sensor

著者名: 須江聡（シチズンファインデバイス）,宮本光教（シチズンファインデバイス）,久保利哉（シチズンファインデバイス）,曽根原誠（信州大学）,佐藤敏郎（信州大学）,長浜竜（岩崎通信機）

著者名(英語): Satoshi Sue (Citizen Finedevice Co.,Ltd.),Mitsunori Miyamoto (Citizen Finedevice Co.,Ltd.),Toshiya Kubo (Citizen Finedevice Co.,Ltd.),Makoto Sonehara (Shinshu University),Toshiro Sato (Shinshu University),Ryu Nagahama (IWATSU ELECTRIC CO., LTD.)

キーワード: 電流センサ|電流計測|光センシング|gallium nitride (GaN)|スイッチング損失|ダブルパルス試験|Current Sensor|Current Measurement|Optical Sensing|gallium nitride (GaN)|switching loss|Double pulse test

要約(日本語): これまでに，著者らは光ファイバ（約200 m）径でFaraday効果を利用した低挿入インピーダンスな非接触プローブ型電流センサ（以下，光プローブ電流センサと記述）を提案している。本稿では，光プローブ電流センサを用いて，GaNデバイスのソース－GND間を流れる電流を計測し，ターン・オン損失を算出した結果について述べる。光プローブ電流センサで計測したGaNデバイスのターン・オン時間は約3.7 nsであり，測定結果からターン・オン損失を算出したところ，約2.5 µJであった。なお，スイッチング時にリンギングが確認されたが，GaNデバイスの寄生キャパシタンスと配線の寄生インダクタンスに起因するものであると考えられる。

本誌掲載ページ: 9-10 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 406 Kバイト