Theoretical Loss Analysis of Vertical GaN MOSFETs in a Totem-pole Bridgeless PFC Considering Drift Layer Variation

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Theoretical Loss Analysis of Vertical GaN MOSFETs in a Totem-pole Bridgeless PFC Considering Drift Layer Variation

著者名: RoqueKarl Raymond dela Cruz（名古屋大学）,WarnakulasooriyaThiyu（名古屋大学）,ChoiSihoon（名古屋大学）,米澤遊（名古屋大学）,新井大輔（名古屋大学）,山本真義（名古屋大学）,牛田泰久（名古屋大学／豊田合成）,岡徹（名古屋大学／豊田合成）

著者名(英語): Karl Raymond dela Cruz Roque (Nagoya University),Thiyu Warnakulasooriya (Nagoya University),Sihoon Choi (Nagoya University),Yu Yonezawa (Nagoya University),Daisuke Arai (Nagoya University),Masayoshi Yamamoto (Nagoya University),Yasuhisa Ushida (Nagoya Uni

キーワード: |vertical GaN MOSFET|drift layer design|loss analysis|totem-pole bridgeless PFC

要約(英語): Gallium Nitride (GaN) power semiconductor devices have recently become popular because of their low on-resistance and fast switching speeds. This paper examines the impact of varying parameters of vertical GaN MOSFETs in a boost totem-pole bridgeless powe

本誌掲載ページ: 10-12 p

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 329 Kバイト