SPICEシミュレーションを用いた縦型GaN MOSFETの損失解析と性能予測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Loss Analysis and Performance Prediction of Vertical GaN MOSFETs using SPICE simulations

著者名: 岡徹（名古屋大学／豊田合成）,牛田泰久（名古屋大学／豊田合成）,米澤遊（豊田合成）

著者名(英語): Tohru Oka (Nagoya University/Toyoda Gosei),Yasuhisa Ushida (Nagoya University/Toyoda Gosei),Yu Yonezawa (Toyoda Gosei)

キーワード: 窒化ガリウム|電界効果トランジスタ|シミュレーション|SPICE|スイッチング|GaN|MOSFET|simulation|SPICE|switching

要約(日本語): GaNは広禁制帯幅，高耐圧，高移動度を有することから，パワーデバイスの低損失・高周波化に適した材料として注目され，横型のAlGaN/GaN HEMTデバイスは既に実用化されている。一方，縦型MOSFETはさらなる高出力化を目指して開発が進められ，パワーデバイスとして良好な特性が報告されているが，近年，低基板抵抗や高チャネル移動度，バルク移動度のさらなる向上が報告され，これらを生かすことでさらなる高性能化が期待できる。今回我々はこれらGaNの優位性を反映したSPICEモデルを作成し，損失解析ならびに性能予測を行ったので報告する。

本誌掲載ページ: 12-13 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 695 Kバイト