ブートストラップ回路が不要なGaN HEMT向けゲートドライバ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-008

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Gate driver for GaN HEMTs that does not require a bootstrap circuit

著者名: 平田晟生（京都工芸繊維大学）,小林和淑（京都工芸繊維大学）,新谷道広（京都工芸繊維大学）,古田潤（京都工芸繊維大学）

著者名(英語): Seia Hirata (Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi (Kyoto Institute of Technology),Michihiro Shintani (Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta (Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ブートストラップ回路|GaN HEMT|寄生成分|bootstrap circuit|GaN HEMT|parasitic component

要約(日本語): ハーフブリッジ回路を用いる際プルアップ回路の電源としてブートストラップ回路が使用されるが，ゲートに繋がる配線が増えることで寄生成分が増大し，それが原因となって動作が不安定になり電力変換効率が低くなる。このことを改善するためにプルアップ用のGaN HEMTをドレインとソースを逆にして用いる。今回は従来型のブートストラップ回路を用いたゲートドライバと提案型のブートストラップ回路を用いないゲートドライバの測定をして従来型と同様の動作をすることを抵抗負荷型回路を用いてゲートソース間電圧とドレインソース間電圧を測定し確認した。今回はハーフブリッジ回路にて測定したが，フルブリッジ回路の場合プルアップ部分を共有できるためさらに配線を減らすことができる。

本誌掲載ページ: 13-14 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 314 Kバイト