IGBT入力容量可変型アクティブゲートドライバによる放射EMI帯域成分の低減に関する検討
IGBT入力容量可変型アクティブゲートドライバによる放射EMI帯域成分の低減に関する検討
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-013
グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集
発行日: 2024/03/01
タイトル(英語): Reduction of Radiated EMI Band Components by Active Gate Driver with Variable IGBT Input Capacitance
著者名: 鈴木陸矢(明治大学),前川佐理(明治大学)
著者名(英語): Rikuya Suzuki (Meiji University),Sari Maekawa (Meiji University)
キーワード: アクティブゲート駆動|EMI|スイッチング損失|Active gate driver|Electro magnetic interference|Switching loss
要約(日本語): 近年,パワー半導体のスイッチング時に生じる電磁ノイズとスイッチング損失を両立して削減するためにアクティブゲート駆動回路の研究が行われている。しかし,回路の規模やコストが増加する問題が挙げられている。そこで本稿では,入力容量可変型の新しいアクティブゲート駆動回路を提案する。従来のアクティブゲート駆動回路と比較して小規模で導入することが可能である。実機検証結果から,主デバイスであるIGBTのコレクタ・エミッタ電圧に生じる30 MHz付近の高周波ノイズを4.8 dB抑制し,従来の単純なゲート抵抗のみを用いたゲート駆動回路と比較して,ターンオフ時スイッチング損失と高周波ノイズのトレードオフを改善する良好な実験結果を得たので報告する。
本誌掲載ページ: 22-24 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 537 Kバイト
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