トランス並列ダンピング方式とコンデンサを併用した直列素子の電圧アンバランス抑制方法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Voltage imbalance suppression method using damping method and capacitors for driving series-connected devices

著者名: 神田大毅（東京工業大学）,石井一輝（東京工業大学）,浦壁隆浩（東京工業大学）,萩原誠（東京工業大学）,糸川祐樹（三菱電機）,檜垣優介（三菱電機）

著者名(英語): Taiki Kanda (Tokyo Institute of Technology),Kazuki Ishii (Tokyo Institute of Technology),Takahiro Urakabe (Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara (Tokyo Institute of Technology),Yuki Itogawa (Mitsubishi Electric Corporation),Yusuke Higaki (Mitsubi

キーワード: 素子直列接続|ゲート磁気結合方式|ゲート電圧振動|series connection of power elements|gate-magnetic-coupling method|gate voltage oscillation

要約(日本語): 直列接続されたスイッチング素子では，ゲート信号の伝送タイミングやゲート電圧の差異によって素子間の電圧分担のアンバランスが発生する。この問題を解決する手法として，ゲート信号の伝送ずれを抑制できるゲート磁気結合方式が提案されているが，ゲート電圧振動が発生し電圧分担のアンバランスを拡大させてしまう。上記問題を解決するため，磁気結合トランスの片側巻線端子間に抵抗と小容量半導体スイッチの直列接続からなる回路を並列接続したトランス並列ダンピング方式が提案されている。本研究では，3.3kV/750ASiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の2直列回路構成に，トランス並列ダンピング方式を適用し，スイッチング素子のゲート・ドレイン間にコンデンサを接続することで，電圧分担のアンバランスを抑制できることを示した。

本誌掲載ページ: 24-26 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 555 Kバイト