大電流領域の出力特性を考慮したSiC-MOSFET向け短絡回路解析モデルの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Development of Short Circuit Analysis Model for SiC MOSFETs Considering High Current Output Characteristics

著者名: 平野真希子（東芝インフラシステムズ）,葛巻淳彦（東芝インフラシステムズ）,小谷和也（東芝インフラシステムズ）

著者名(英語): Makiko Hirano (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Atsuhiko Kuzumaki (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Kazuya Kodani (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation)

キーワード: SiC-MOSFET|短絡|回路シミュレーション|SiC-MOSFET|short|circuit simulation

要約(日本語): SiCデバイスの効率的な短絡保護開発には，試験評価に先立って様々な条件下での短絡動作を回路解析により事前に把握することが望まれる。本稿ではSiC MOSFETをモチーフに，回路解析によって短絡動作を把握可能な素子モデルを検討した。素子モデルはMOSFET，SBD，端子間容量，その他寄生成分から成る。MOSFETは出力特性（Id-Vds特性）を有するビヘイビア電流源として定義し，短絡試験結果より抽出した実測値をもとに各パラメータを同定した。解析と試験結果の比較により，短絡電流ピークと素子電圧ピークは誤差5％以内で模擬できた。一方，素子モデルでは短絡時の素子内部の過渡的な温度上昇を模擬していないため，短絡電流波形の解析と試験結果には乖離がある。今後，短絡時の素子温度上昇を考慮したモデル化による精度向上を検討する。

本誌掲載ページ: 29-31 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 511 Kバイト