SiC-BGSITカスコード素子

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-018

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): SiC-BGSIT cascode devices

著者名: 伊澤健史（山梨大学）,戸田龍一（山梨大学）,坂本悠誠（山梨大学）,小野哲男（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）

著者名(英語): Takeshi Izawa (University of Yamanashi),Ryuichi Toda (University of Yamanashi),Yusei Sakamoto (University of Yamanashi),Tetsuo Ono (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi)

キーワード: SiC|静電誘導トランジスタ|パワーデバイス|ハーフブリッジインバータ|ワイドバンドギャップ半導体|SiC|Static Induction Transistor|Power Devices|Half-Bridge Inverter|Wide Bandgap Semiconductor

要約(日本語): 本研究では，SiC埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ（SiC-BGSIT）の基本的電気特性および同素子を用いたハーフブリッジインバータの検証を報告する。用いた素子は，最大定格35A650Vである。SiC-BGSITカスコード中のSi-MOSFETについては，入力容量の異なるサンプルを準備した。同素子のオン抵抗は約35mΩであり，低いオン抵抗を示している。また，ターンオフ損失は100~300μJ，ターンオン損失は150～260μJである。また，本素子を搭載したハーフブリッジインバータ回路を試作し，その動作を検証した。

本誌掲載ページ: 31-32 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 451 Kバイト