SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-019

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Analysis of Built-in PiN Diodes of SiC-MOSFETs

著者名: 菊池真矢（筑波大学）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Maya Kikuchi (University of Tukuba),Hiroshi Yano (University of Tukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tukuba)

キーワード: SiC-MOSFET|内蔵pinダイオード|正孔注入効率|MOSFETチャネル長|SiC-MOSFET|Built-in PiN Diode|hole injection efficiency|channel length

要約(日本語): SiC-MOSFETには，SiC/SiO₂界面に多くの欠陥が存在するためチャネル移動度が低く，その結果チャネル抵抗が大きいという問題がある。そのため，SiC-MOSFETではチャネル長を短く設計するのが一般的である。そこで今回，チャネル長が短いことによる内蔵PiNダイオード特性への影響を明らかにするため，順方向特性並びに逆回復特性を評価・解析した。その結果，SiC-MOSFET内蔵PiNダイオードは，バイポーラ動作が抑制されていることを実測とシミュレーションにより確認した。その原因として，n-ドリフト層のライフタイムが短いことに加え，SiC-MOSFETのチャネル長が短く設計されていることにより，表面p+層からの正孔注入が抑制されていることも要因の一つであることがわかった。

本誌掲載ページ: 32-34 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 743 Kバイト