1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-020

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Temperature Dependence of 1.2-kV SiC MOSFETs Short-circuit Capability

著者名: 鈴木一広（筑波大学）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Kazuhiro Suzuki (University of Tsukuba),Hiroshi Yano (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba)

キーワード: SiC MOSFET|負荷短絡耐量|温度依存性|熱暴走破壊|SiC MOSFET|short circuit capability|temperature dependence|thermal runaway

要約(日本語): SiC MOSFET 負荷短絡耐量の温度依存性について実験とシミュレーションにより解析した。その結果，測定温度を25℃から175℃にすることでわずかではあるが耐量は劣化することがわかった。しかしながらその劣化の度合いは，Si IGBTに比べ小さい。これは，SiC MOSFET破壊メカニズムが，素子内温度が破壊臨界点に達することで壊れる熱暴走であり，この破壊臨界点が測定時の温度には依存せず半導体素子材料そのものによって決まるためである。そして測定開始時の温度175℃から破壊臨界温度に到達するまでの時間が，25℃測定での測定開始時から破壊臨界点に達するまでの時間に比べわずかに短くなり，その分負荷短絡耐量が劣化したと考えられる。

本誌掲載ページ: 34-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 596 Kバイト