SiC-MOSFET適用変換器を想定したDESAT短絡保護動作の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-021

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Evaluation of DESAT Short-Circuit Protection Assuming Converter Applied SiC-MOSFFETs

著者名: 葛巻淳彦（東芝インフラシステムズ）,安田篤（東芝インフラシステムズ）,倉智聡（東芝インフラシステムズ）,松下晃久（東芝インフラシステムズ）

著者名(英語): Atsuhiko Kuzumaki (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Atsushi Yasuda (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Satoshi Kurachi (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Akihisa Matsushita (Tos

キーワード: SiC-MOSFET|DESAT|短絡保護|短絡電流|短絡エネルギー|SiC-MOSFET|DESAT|short-circuit protection|short-circuit current|short-circuit energy

要約(日本語): SiC-MOSFETモジュールのDESAT短絡保護動作を評価した。定格1200V,600Aの2in1モジュールを，直流電圧700V，温度100℃，上アームの短絡模擬素子を常時ゲートオンさせ，下アームのSiC-MOSFETのターンオンと同時に短絡させた。実験の結果，サージ電圧965V，短絡電流ピーク5kA，短絡エネルギー3.2J，短絡開始から電流遮断までの期間3.4µsで高速に短絡保護できた。高速な短絡検出と，素子耐圧以下のサージ電圧，かつ，素子破壊なく電流遮断することができた。

本誌掲載ページ: 36-37 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 380 Kバイト