4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-022

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Gate-drain capacitance analysis in 4H-SiC lateral p-ch SJ-MOSFETs

著者名: 森海斗（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）,矢野裕司（筑波大学）

著者名(英語): Kaito Mori (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba),Hiroshi Yano (University of Tsukuba)

キーワード: SiC MOSFET|スーパージャンクション|TCADシミュレーション|ドレイン－ソース間寄生容量|ゲート－ドレイン間寄生容量|SiC MOSFET|Superjunction|TCAD simulations|drain-source capacitance|gate-drain capacitance

要約(日本語): TCADを用いて4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの寄生容量特性を解析したところ，縦型SJ構造において一般的に観察されるドレイン－ソース間寄生容量（C_ds）特性やゲート－ドレイン間寄生容量（C_gd）と同様の特性を得た。さらにC_gdのV_ds依存性に関しては横型SJ-MOSFET構造特有の設計条件に対する特性変化があることを確認し，デバイス内部の空乏層の拡がり方から解析を行った。その結果，C_gd減少に寄与するドリフト層内の空乏層伸長とC_gd増加に寄与するピラー内の空乏層伸長の発生するV_dsの範囲は設計条件により異なり，この差がC_gdの増減特性を引き起こしていることがわかった。

本誌掲載ページ: 37-39 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 612 Kバイト