パワーMOSFETの状態監視を目的としたスイッチング波形からのゲート容量算出手法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-023

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): Calculation Method of Parasitic Capacitance from Switching Waveforms of Power MOSFETs for Condition Monitoring

著者名: 林真一郎（千葉工業大学）,清水優平（千葉工業大学）,和田圭二（東京都立大学）

著者名(英語): Shin-Ichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology),Yuhei Shimizu (Chiba Institute of Technology),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)

キーワード: ゲート容量|状態監視|MOSFET|Gate capacitance|Condition monitoring|MOSFET

要約(日本語): パワーMOSFETの突然の故障を防ぐ手法として，状態監視が着目されている。状態監視とは，機器内に実装したセンサ等の情報を活用して運用中の機器の状態を常時監視する技術である。本研究グループでは，パワーMOSFETのゲート容量変動からゲート酸化膜の劣化を検出する状態監視手法を提案してきた。しかしながら，これまでの提案手法は，動作中のゲート容量測定ができない課題があった。そこで本研究では，機器の動作中にも状態監視できるよう，スイッチング波形からゲート容量を算出する手法を検討した。

本誌掲載ページ: 39-40 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 251 Kバイト