SiC-MOSFETを用いた低電圧DC遮断プロセスにおける接合部での発生熱と温度上昇に関する考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-034

グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集

発行日: 2024/03/01

タイトル(英語): A study on heat generation and temperature rise at junction in low-voltage DC interrupting process with SiC-MOSFET

著者名: 長谷川海渡（名古屋大学）,横水康伸（名古屋大学）,岩田幹正（名古屋大学）,兒玉直人（名古屋大学）

著者名(英語): Kaito Hasegawa (Nagoya University),Yasunobu Yokomizu (Nagoya University),Mikimasa Iwata (Nagoya University),Naoto Kodama (Nagoya University)

キーワード: 直流遮断器|SiC-MOSFET|限流|低電圧大電流|DC Circuit Breaker|SiC-MOSFET|Current limiting|Low-voltage DC High Current

要約(日本語): SiC系MOSFET半導体のスイッチング機能を用いた低電圧DC遮断方法として，電気抵抗による限流機能を具備したモデル遮断器の回路構成・仕様を検討してきた。さらに，同モデル遮断器を試作し，DC電源電圧120V下での電流遮断および過渡的発生電圧のプロセスを提示し，さらに接合部温度上昇も明らかにしてきた。筆者らは，現在200–400Vにおける同モデル遮断器によるDC限流遮断とその測定を考えている。これまで，限流抵抗を2Ωに設定してDC遮断実験を行い，DC限流遮断および接合部温度上昇プロセスを明らかにしてきた。本報告では，DC電源電圧200Vの条件で限流抵抗を5Ωおよび10Ωに設定し，限流抵抗による発生熱抑制および接合部温度緩和について述べている。

本誌掲載ページ: 42-43 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 352 Kバイト