ハイブリッド直流遮断器の転流回路における半導体スイッチ保護手法の検討
ハイブリッド直流遮断器の転流回路における半導体スイッチ保護手法の検討
カテゴリ: 全国大会
論文No: 6-039
グループ名: 【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集
発行日: 2024/03/01
タイトル(英語): A Study on Semiconductor Switch Protection Method in the Commutation Path of Hybrid DCCB
著者名: 桶川雄生(東京工業大学),竜虎(東京工業大学),全俊豪(東京工業大学),竹内希(東京工業大学),大西亘(東京大学),中野裕介(金沢大学),兒玉直人(名古屋大学),山納康(埼玉大学),稲田優貴(埼玉大学)
著者名(英語): Yuki Okegawa (Tokyo Institute of Technology),Hu Long (Tokyo Institute of Technology),Shungo Zen (Tokyo Institute of Technology),Nozomi Takeuchi (Tokyo Institute of Technology),Wataru Ohnishi (The University of Tokyo),Yusuke Nakano (Kanazawa University),Na
キーワード: 直流送電|遮断器|真空コンタクタ|転流回路|半導体スイッチ|DC transmission|Breaker|Vacuum contactor|Commutation path|Semiconductor switch
要約(日本語): 近年,従来の交流送電と比較して,伝送時の損失が少ない直流送電が注目されており,それに伴って直流遮断器の需要も高まっている。本研究で扱うハイブリッド直流遮断器を高電圧・大電流に対応するには,転流回路中の半導体スイッチ(IGBT)を複数直列・並列に接続する必要がある。そこで,より低コストのハイブリッドDCCBを実現するために,転流回路中に,IGBTと直列に真空コンタクタ(VC)を挿入した。VCで発生するアーク電圧により,IGBTにかかる電圧が低減することが期待されたが,遮断の瞬間にIGBTへ大きなスパイク電圧がかかった。つづいてVC-IGBTと並列にキャパシタを挿入すると,遮断の瞬間の電圧がVCにかかるようになり,IGBTにかかるスパイク電圧は4分の1程度に低減された。
本誌掲載ページ: 48-49 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 309 Kバイト
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