電圧上昇率がSiO2の絶縁破壊特性に及ぼす影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-055

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル：電圧上昇率がSiO₂の絶縁破壊特性に及ぼす影響

タイトル(英語): Breakdown Characteristics of SiO₂ Influenced by Increasing Rate of Voltage

著者名: 木村剛留（豊橋技術科学大学）,村上義信（豊橋技術科学大学）,川島朋裕（豊橋技術科学大学）

著者名(英語): Takeru Kimura (Toyohashi University of Technology),Yoshinobu Murakami (Toyohashi University of Technology),Tomohiro Kawashima (Toyohashi University of Technology)

キーワード: 絶縁破壊|デジタルアイソレータ|酸化ケイ素|electrical breakdown|digital isolator|silicon nitride

要約(日本語): デジタルアイソレータはフォトカプラよりも小型，高速，低消費電力であり，医療機器や電気自動車等へ広く使用されており，デジタルアイソレータは厚さ数μmの酸化ケイ素(SiO₂)を用いて電気絶縁を行っている。そこで本研究ではシリコン基板と厚さ3.13 μmのSiO₂で構成される試料に正極性直流ランプ電圧および正極性インパルス電圧を印加し，絶縁破壊電圧(Vb)を測定した。この結果，インパルス電圧で破壊した場合のみ，Vbが3 kV程度と1.8 kV程度に分かれて分布し，いく

本誌掲載ページ: 68-69 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 352 Kバイト