GaNパワー半導体を用いたパルスパワー電源の高出力化に向けた基礎研究

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-085

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Fundamental Study for High Power Output of Pulsed Power Generator Using GaN Power Semiconductors

著者名: 長尾長尾（小山工業高等専門学校）,藤田凌史（小山工業高等専門学校）,須貝太一（長岡技術科学大学）,徳地明（パルスパワー技術研究所）,江偉華（長岡技術科学大学）

著者名(英語): Kazuki Nagao (National Institute of Technology, Oyama College),Ryo Fujita (National Institute of Technology, Oyama College),Taichi Sugai (Nagaoka University of Technology),Akira Tokuchi (Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.),Jioang Weihua (Nagaoka Universit

キーワード: パルスパワー|パワー半導体|GaNパワーデバイス|pulsed power|power semiconductor|GaN power device

要約(日本語): 次世代半導体でワイドギャップ半導体であるGaNパワー半導体は，従来の半導体であるSi半導体の大電流キャパシティとSiCの高いバンドギャップと破壊電界強度を有しており，2つの材料の良いとこ取りした材料である。しかし，高負荷時では，高速すぎるターンオフによって定格を超えるサージ電圧がFETのドレイン-ソース間に発生する。回路インダクタンスが小さくても，ターンオフ時の電流変化率が大きく，結果的に大きなサージ電圧が発生し，電力キャパシティを制限，信頼性を著しく低下している。本研究ではゲート駆動回路の最適化を行い，

本誌掲載ページ: 102-103 p

原稿種別: 日本語