Investigation of Dielectric Breakdown Strength in Mechanically Prestressed Silicon Nitride

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-029

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Investigation of Dielectric Breakdown Strength in Mechanically Prestressed Silicon Nitride

著者名: KimHana（Kyushu Institute of Technology）,HikitaMasayuki（Kyushu Institute of Technology）,KozakoMasahiro（Kyushu Institute of Technology）,InoueEishin（Fukuoka Institute of Technology）,ZhuShijie（Fukuoka Institute of Technology）

著者名(英語): Hana Kim (Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita (Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako (Kyushu Institute of Technology),Eishin Inoue (Fukuoka Institute of Technology),Shijie Zhu (Fukuoka Institute of Technology)

キーワード: |Silicon nitride|Dielectric breakdown|Ceramics substrate|Mechanical prestress

要約(英語): This study examines the breakdown strength of silicon nitride (Si₃N₄) under mechanical stress to clarify the influence of mechanical prestress on electrical breakdown strength. It is shown that the AC breakdown strength decreases as

本誌掲載ページ: 31-32 p

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 375 Kバイト