RCスナバ内蔵MOSFETパッケージのスイッチングサージ損失の一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-048

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): A study of switching surge and loss of a MOSFET package with built-in RC snubber

著者名: 安住壮紀（東芝）,小幡進（東芝）,樋口和人（東芝）,大黒達也（東芝デバイス&ストレージ）

著者名(英語): Takenori Yasuzumi (Toshiba Corp.),Susumu Obata (Toshiba Corp.),Kazuhito Higuchi (Toshiba Corp.),Tatsuya Ohguro (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.)

キーワード: MOSFET|RCスナバ|サージ|損失|MOSFET|RC snubber|Surge|Loss

要約(日本語): MOSFETのターンオフ時に生じる電圧サージの抑制には，ドレイン-ソース端子間へのRCスナバ追加が有効である。従来はMOSFETのパッケージ外へRCスナバを配置するため，間の配線による寄生インダクタンスが電圧サージやEMI，スイッチング損失に与える影響が懸念される。本稿では，RCスナバを内蔵したパッケージの検証結果を述べる。

本誌掲載ページ: 80-81 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 468 Kバイト